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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DS1230ABL-70 |
| 英文描述： | NVRAM (Battery Based) |
| 中文描述： | NVRAM中（基于電池） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 469K |
| 代理商： | DS1230ABL-70 |
DS1230Y/AB
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1230ABL-70-IND | NVRAM (Battery Based) |
| DS1230ABL-85 | NVRAM (Battery Based) |
| DS1230ABL-85-IND | NVRAM (Battery Based) |
| DS1230ABP-100 | NVRAM (Battery Based) |
| DS1230ABP-120 | NVRAM (Battery Based) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS1230ABL-70-IND | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1230ABL-85 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1230ABL-85-IND | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1230AB-P100 | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230ABP-100 | 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
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