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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DS1230ABP-120 |
| 英文描述： | NVRAM (Battery Based) |
| 中文描述： | NVRAM中（基于電池） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 469K |
| 代理商： | DS1230ABP-120 |
DS1230Y/AB
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RECOMMENDED POWERCAP MODULE LAND PATTERN
INCHES
PKG
DIM
MIN
NOM
MAX
A
-
1.050
-
B
-
0.826
-
C
-
0.050
-
D
-
0.030
-
E
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0.112
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INCHES
PKG
DIM
MIN
NOM
MAX
A
-
1.050
-
B
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0.890
-
C
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0.050
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D
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0.030
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E
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0.080
-
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| DS1230ABP-120-IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230AB-P150 | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
| DS1230ABP-150 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1230AB-P150IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM |
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