參數(shù)資料
型號(hào)： DS1230YP-200
英文描述： NVRAM (Battery Based)
中文描述： NVRAM中（基于電池）
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大小： 469K
代理商： DS1230YP-200
DS1230Y/AB
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PDF描述
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DS1230Y-P200IND 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM
DS1230YP-200-IND 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM
DS1230Y-P70 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM
DS1230YP-70 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1230YP-70+ 功能描述:NVRAM 256k Nonvolatile SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
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