型號: | DS1245YL |
英文描述: | 1024K Nonvolatile SRAM |
中文描述: | 1024K非易失SRAM |
文件頁數(shù): | 8/9頁 |
文件大?。?/td> | 192K |
代理商: | DS1245YL |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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DS1250AB-100-IND | NVRAM (Battery Based) |
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DS1250ABL-100 | NVRAM (Battery Based) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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DS1245YL-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:1024K Nonvolatile SRAM |
DS1245YL-120 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
DS1245YL-120-IND | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
DS1245YL-70 | 功能描述:IC NVSRAM 1MBIT 70NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN(2x3) 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |