參數(shù)資料
型號： DS1265W-100-IND
英文描述： 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM
中文描述： 3.3和8Mb非易失SRAM
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 155K
代理商： DS1265W-100-IND
DS1265W
4 of 8
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
: See Note 10; V
CC
= 3.3V 0.3V)
DS1265W-100
PARAMETER
SYMBOL
MIN
Read Cycle Time
t
RC
Access Time
t
ACC
t
OE
t
CO
t
COE
Output High-Z from Deselection
t
OD
Output Hold from Address Change
t
OH
Write Cycle Time
t
WC
Write Pulse Width
t
WP
Address Setup Time
t
AW
Write Recovery Time
t
WR1
t
WR2
Output High-Z from
WE
t
ODW
t
OEW
Data Setup Time
t
DS
Data Hold Time
t
DH1
t
DH2
DS1265W-150
MIN
150
MAX
MAX
UNITS
ns
ns
ns
NOTES
100
100
50
150
70
OE
to Output Valid
CE
to Output Valid
100
150
ns
OE
or
CE
to Output Active
5
5
ns
5
35
35
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
5
5
100
75
0
5
20
150
100
0
5
20
3
12
13
5
35
35
Output Active from
WE
5
5
ns
5
40
0
20
60
0
20
ns
ns
ns
4
12
13
TIMING DIAGRAM: READ CYCLE
SEE NOTE 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1265W-150 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM
DS1265W-150-IND 3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM
DS1275N Transceiver
DS1275SN Transceiver
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參數(shù)描述
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DS1265W-150 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1265W-150+ 功能描述:NVRAM 3.3V 8M NV SRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1265W-150-IND 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM
DS1265Y 制造商:MAXIM 制造商全稱:Maxim Integrated Products 功能描述:8M Nonvolatile SRAM
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