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參數(shù)資料
| 型號： | DS1330ABP-100 |
| 英文描述： | 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| 中文描述： | 256k非易失SRAM與電池監(jiān)視器 |
| 文件頁數(shù)： | 5/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 191K |
| 代理商： | DS1330ABP-100 |
DS1330Y/AB
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WRITE CYCLE 1
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WRITE CYCLE 2
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1330ABP-100-IND | 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1330ABP-70 | 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1330ABP-70-IND | 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1330Y | 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1330YP-100 | 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS1330ABP-100+ | 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1330ABP-100-IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1330ABP-70 | 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1330ABP-70+ | 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1330ABP-70IND | 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
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