參數(shù)資料
型號: DS1330ABP-70-IND
英文描述: 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
中文描述: 256k非易失SRAM與電池監(jiān)視器
文件頁數(shù): 9/11頁
文件大?。?/td> 191K
代理商: DS1330ABP-70-IND
DS1330Y/AB
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DS1330Y/AB NONVOLATILE SRAM, 34-PIN POWERCAP MODULE
INCHES
PKG
DIM
MIN
NOM
MAX
A
0.920
0.925
0.930
B
0.980
0.985
0.990
C
-
-
0.080
D
0.052
0.055
0.058
E
0.048
0.050
0.052
F
0.015
0.020
0.025
G
0.020
0.025
0.030
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DS1330Y 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1330YP-100 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1330YP-70 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1330YP-70-IND 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1330BL-70-IND NVRAM (Battery Based)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DS1330ABP-70IND+ 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube
DS1330BL-100 功能描述:IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN(2x3) 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
DS1330BL-100-IND 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor
DS1330BL-70 功能描述:IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN(2x3) 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
DS1330BL-70IND 功能描述:IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN(2x3) 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)