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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DS1330ABP-70 |
| 英文描述： | 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| 中文描述： | 256k非易失SRAM與電池監(jiān)視器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 191K |
| 代理商： | DS1330ABP-70 |
DS1330Y/AB
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POWER-DOWN/POWER-UP CONDITION
BATTERY WARNING DETECTION
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1330ABP-70-IND | 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1330Y | 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1330YP-100 | 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1330YP-70 | 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1330YP-70-IND | 256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS1330ABP-70+ | 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1330ABP-70IND | 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1330ABP-70-IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱(chēng):Dallas Semiconductor 功能描述:256k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1330ABP-70IND+ | 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類(lèi)型:Parallel 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
| DS1330BL-100 | 功能描述:IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34LPM RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線(xiàn)串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
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