型號: | DS1330BL-70-IND |
英文描述: | NVRAM (Battery Based) |
中文描述: | NVRAM中(基于電池) |
文件頁數(shù): | 3/9頁 |
文件大?。?/td> | 215K |
代理商: | DS1330BL-70-IND |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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DS1330WP-150 | NVRAM (Battery Based) |
DS1330YL-100 | NVRAM (Battery Based) |
DS1330YL-100-IND | NVRAM (Battery Based) |
DS1330YL-70 | NVRAM (Battery Based) |
DS1330YL-70-IND | NVRAM (Battery Based) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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DS1330W | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:3.3V 256K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
DS1330WP-100 | 功能描述:NVRAM 3.3V 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
DS1330WP-100+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
DS1330WP-100IND | 功能描述:NVRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
DS1330WP-100IND+ | 功能描述:NVRAM 3.3V 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |