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參數(shù)資料
| 型號： | DS1330YL-100 |
| 英文描述： | NVRAM (Battery Based) |
| 中文描述： | NVRAM中（基于電池） |
| 文件頁數(shù)： | 7/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 215K |
| 代理商： | DS1330YL-100 |
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS1330YL-100-IND | NVRAM (Battery Based) |
| DS1330YL-70 | NVRAM (Battery Based) |
| DS1330YL-70-IND | NVRAM (Battery Based) |
| DS1336N | Power Supply Switching Circuit |
| DS1336S | Power Supply Switching Circuit |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS1330YL-100-IND | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NVRAM (Battery Based) |
| DS1330YL-70 | 功能描述:IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| DS1330YL-70IND | 功能描述:IC NVSRAM 256KBIT 70NS 34LPM RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
| DS1330YL-70-IND | 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:256K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
| DS1330YP-100 | 功能描述:NVRAM 256K NV RAM w/Battery Monitor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube |
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