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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DS1809Z-010+ |
| 廠商： | Maxim Integrated Products |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC DALLASTAT 10K 8-SOIC |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 100 |
| 系列： | Dallastat™ |
| 接片： | 64 |
| 電阻（歐姆）： | 10k |
| 電路數(shù)： | 1 |
| 溫度系數(shù)： | 標(biāo)準(zhǔn)值 750 ppm/°C |
| 存儲(chǔ)器類型： | 非易失 |
| 接口： | 上/下 |
| 電源電壓： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SOIC |
| 包裝： | 管件 |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面： | 1430 (CN2011-ZH PDF) |
DS1809
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PUSHBUTTON TIMING DIAGRAMS Figure 4
If during any pushbutton activity the STR input is activated, pushbutton operation will be suspended until
the storage of EEPROM has been completed. Once complete, pushbutton inputs, if still active, will
resume from the point of suspension. Command initiated storage operations will require a minimum of
4 ms to complete the storage operation. This 4 ms is measured from the rise of STR input (see Figure 5).
For applications not requiring or using the nonvolatile memory feature of the DS1809, it is recommended
that the STR input be connected to GND.
COMMAND INITIATED WIPER STORAGE - Figure 5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| DS1809Z-010+C | 功能描述:數(shù)字電位計(jì) IC Dallastat RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 電阻:200 Ohms 溫度系數(shù):35 PPM / C 容差:25 % POT 數(shù)量:Dual 每 POT 分接頭:256 弧刷存儲(chǔ)器:Volatile 緩沖刷: 數(shù)字接口:Serial (3-Wire, SPI) 描述/功能:Dual Volatile Low Voltage Linear Taper Digital Potentiometer 工作電源電壓:1.7 V to 5.5 V 電源電流:27 uA 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TQFN-16 封裝:Reel |
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