參數(shù)資料
型號: DS1963L-F5
英文描述: NVRAM (Battery Based)
中文描述: NVRAM中(基于電池)
文件頁數(shù): 13/24頁
文件大?。?/td> 1830K
代理商: DS1963L-F5
相關PDF資料
PDF描述
DS1963S SHA iButton
DS1971 256-Bit EEPROM iButton
DS1973 4-kbit EEPROM iButton
DS1977 32KB EEPROM iButton
DS1977-F5 32KB EEPROM iButton
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
DS1963L-F5+ 功能描述:iButton RoHS:否 存儲類型:SRAM 存儲容量:512 B 組織: 工作電源電壓:3 V to 5.25 V 接口類型:1-Wire 最大工作溫度:+ 85 C 尺寸:17.35 mm x 5.89 mm 封裝 / 箱體:F5 MicroCan 制造商:Maxim Integrated
DS1963L-F5+W 功能描述:iButton RoHS:否 存儲類型:SRAM 存儲容量:512 B 組織: 工作電源電壓:3 V to 5.25 V 接口類型:1-Wire 最大工作溫度:+ 85 C 尺寸:17.35 mm x 5.89 mm 封裝 / 箱體:F5 MicroCan 制造商:Maxim Integrated
DS1963R-F5+ 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:- Rail/Tube
DS1963S 制造商:DALLAS 制造商全稱:Dallas Semiconductor 功能描述:SHA iButton
DS1963S+F5 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:SHA IBTN 8SOIC - Rail/Tube