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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | DS276 |
| 英文描述： | Low Power Transceiver Chip |
| 中文描述： | 低功耗、收發(fā)器芯片 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 132K |
| 代理商： | DS276 |
DS276
8 of 11
+
ELECTRICAL CHARACTERISTICS-5V OPERATION
(t
A
= 0
°
C to 70
°
C)
PARAMETER
SYMBOL
Logic Supply Voltage
V
CC
Dynamic Supply Current
I
DRV1
I
CC1
I
DRV1
I
CC1
TX
IN
= GND
Static Supply Current
I
DRV2
I
CC2
I
DRV2
I
CC2
TX
IN
= GND
Driver Leakage Current
I
DRV3
V
CC
= 0
V
DRV+
=V
CC
=
4.5V
V
DRV-
=0
TX
OUT
Level High
V
OTXH
V
DRV+
=12V,
V
DRV-
=-12V
V
DRV
+=
V
CC
=12V
V
DRV-
=12V
TX
OUT
Level Low
V
OTXL
V
DRV+
=V
CC
V
DRV-
=0
TX
OUT
Short Circuit Current
I
SC
V
DRV+
= 12V,
V
DRV-
= -12V
TX
OUT
Output Slew Rate
t
SR
Propagation Delay
t
PD
RX
IN
Input Threshold Low
V
TL
RX
IN
Input Threshold High
V
TH
RX
IN
Threshold Hysteresis
V
HYS
RX
OUT
Output Current High
I
OH
V
CC
= 4.5V
V
OH
= 2.4V
RX
OUT
Output Current Low
I
OL
V
CC
= 4.5V
V
OL
= 0.4V
NOTES:
1.
See test circuit in Figure 9.
2.
See test circuit in Figure 10.
3.
See test circuit in Figure 11.
4.
R
L
= 3 k
to ground. Max data rate = 20 kbps.
5.
R
L
= 3 k
to ground. Max data rate = 100 kbps.
MIN
4.5
TYP
5
MAX
5.5
UNITS
V
NOTES
TX
IN
= V
CC
TX
IN
= V
CC
TX
IN
= GND
400
40
3.8
40
800
100
5
100
uA
uA
mA
uA
1
1
1
1
TX
IN
= V
CC
TX
IN
= V
CC
TX
IN
= GND
1.5
10
3.8
10
0.05
10
15
5
20
1
uA
uA
mA
uA
uA
2
2
2
2
3
3.3
3.8
V
4
10
11
V
5
-11
-10
V
4
0.2
0.3
V
5
85
30
mA
V/us
us
V
V
V
6
5
7
0.8
1.6
0.5
1.2
2
0.8
6
2
8
-1
mA
3
mA
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PDF描述 |
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