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參數(shù)資料
| 型號： | DS89C440-ENL |
| 英文描述： | Ultra-High-Speed Flash Microcontrollers |
| 中文描述： | 超高速閃存微控制器 |
| 文件頁數(shù)： | 30/48頁 |
| 文件大小： | 656K |
| 代理商： | DS89C440-ENL |
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DS89C430/DS89C440/DS89C450 Ultra-High-Speed Flash Microcontrollers
30 of 48
Figure 10. Page Mode 1, External Memory Cycle (CD1:CD0 = 10)
Internal Memory Cycles
XTAL1
ALE
Port 0
Port 2
Data
Data
Inst
MSB
MSB
MSB
MSB
MSB
LSB
LSB
LSB
LSB
LSB
LSB
Inst
Inst
External Memory Cycles
Page Miss
Page Hit
Page Miss
Data Access
Data Access
PAGES=00
ALE
PSEN
MOVX
Inst
Data
Page Miss
Page Miss
next instruction
Data Access
Page Hit
MSBAdd
LSB Add
LSB Add
MSBAdd
MSBAdd
LSB Add
PAGES=01
Port 0
Port 2
MSBAdd
LSB Add
LSB Add
Inst
Data
Port 2
Port 0
PSEN
ALE
Page Miss
Data Access
RD/WR
RD
/
WR
PAGES=10
RD
/
WR
MOVX
MOVX
LSB
PSEN
MOVX executed
MOVX executed
MOVX executed
During a page miss, P2 drives the Addr [8:15] of the 16-bit address and holds it for the duration of the first half of
the memory cycle to allow the external address latches to latch the new most significant address byte. ALE is
asserted to strobe the external address latches. During this operation,
PSEN
,
RD
, and
WR
are held in inactive
states and P0 is in a high-impedance state. The following half-memory cycle is executed as a page hit cycle and
the appropriate operation takes place.
A page miss can occur at set intervals or during external operations that require a memory access into a page of
memory that has not been accessed during the last external cycle. Generally, the first external memory access
causes a page miss. The new page address is stored internally and is used to detect a page miss for the current
external memory cycle.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS89C440-MNL | Ultra-High-Speed Flash Microcontrollers |
| DS89C440-QNL | Ultra-High-Speed Flash Microcontrollers |
| DS89C450-ENL | Ultra-High-Speed Flash Microcontrollers |
| DS89C450-MNL | Ultra-High-Speed Flash Microcontrollers |
| DS89C450-QNL | Ultra-High-Speed Flash Microcontrollers |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DS89C440-ENL+ | 功能描述:8位微控制器 -MCU RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:C8051F39x 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:50 MHz 程序存儲器大小:16 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 105 C 封裝 / 箱體:QFN-20 安裝風格:SMD/SMT |
| DS89C440-MNG | 功能描述:IC MCU FLASH 32KB 25MHZ 40-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:89C 產(chǎn)品培訓模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標準包裝:260 系列:73S12xx 核心處理器:80515 芯體尺寸:8-位 速度:24MHz 連通性:I²C，智能卡，UART/USART，USB 外圍設(shè)備:LED，POR，WDT 輸入/輸出數(shù):9 程序存儲器容量:64KB（64K x 8） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:2K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:68-VFQFN 裸露焊盤 包裝:管件 |
| DS89C440-MNL | 功能描述:IC MCU FLASH 32KB 33MHZ 40-DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:89C 產(chǎn)品培訓模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標準包裝:260 系列:73S12xx 核心處理器:80515 芯體尺寸:8-位 速度:24MHz 連通性:I²C，智能卡，UART/USART，USB 外圍設(shè)備:LED，POR，WDT 輸入/輸出數(shù):9 程序存儲器容量:64KB（64K x 8） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:2K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:68-VFQFN 裸露焊盤 包裝:管件 |
| DS89C440-MNL+ | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述: |
| DS89C440-QNG | 功能描述:IC MCU FLASH 32KB 25MHZ 44-PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:89C 產(chǎn)品培訓模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標準包裝:260 系列:73S12xx 核心處理器:80515 芯體尺寸:8-位 速度:24MHz 連通性:I²C，智能卡，UART/USART，USB 外圍設(shè)備:LED，POR，WDT 輸入/輸出數(shù):9 程序存儲器容量:64KB（64K x 8） 程序存儲器類型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:2K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:- 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:68-VFQFN 裸露焊盤 包裝:管件 |
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