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參數(shù)資料
| 型號： | DSEI60-12A |
| 廠商： | IXYS CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
| 中文描述： | 52 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247AD |
| 封裝： | TO-247AD, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | DSEI60-12A |
2000 IXYS All rights reserved
2 - 2
DSEI 60, 1200 V
Dimensions
Dim.
Millimeter
Min.
Inches
Max.
Min.
Max.
A
B
19.81 20.32
20.80 21.46
0.780
0.819
0.800
0.845
C
D
15.75 16.26
3.55
0.610
0.140
0.640
0.144
3.65
E
F
4.32
5.4
5.49
6.2
0.170
0.212
0.216
0.244
G
H
1.65
2.13
4.5
0.065
-
0.084
0.177
-
J
K
1.0
10.8
1.4
11.0
0.040
0.426
0.055
0.433
L
M
4.7
0.4
5.3
0.8
0.185
0.016
0.209
0.031
N
2.2
2.54
0.087
0.102
0
200
400
600
800
A/μs
1000
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
10
100
-di
F
/dt
1000
0
2
4
6
8
10
12
μC
0
200
400
-di
F
/dt
600
800
A/μs
1000
0
20
40
60
80
0
200
400
600
800
A/μs
1000
0
10
20
30
40
50
60
V
T
VJ
=125
°
C
I
F
=60A
di
F
/dt
t
fr
V
FR
t
fr
ns
0
200
400
600
800
1000
1200
V
FR
V
R
=540V
T
VJ
=100
°
C
-di
F
/dt
μs
t
rr
typ.
0
40
80
120
160
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
K
f
Q
R
I
RM
°
C
T
J
T
VJ
=100
°
C
V
R
=540V
A
max.
typ.
I
RM
Q
r
typ.
max.
V
R
= 540V
0
1
2
3
4
0
10
20
30
40
50
60
70
80
A
90
T
VJ
=100
°
C
V
V
F
I
F
T
VJ
=150
°
C
T
VJ
=100
°
C
T
VJ
= 25
°
C
I
F
=60A
I
F
=120A
I
F
=60A
I
F
=30A
I
F
=30A
I
F
=60A
I
F
=120A
I
F
=60A
I
F
=30A
I
F
=60A
I
F
=60A
I
F
=120A
A/μs
max.
Fig. 7 Transient thermal impedance junction to case.
Fig. 4 Dynamic parameters versus
junction temperature.
Fig. 5 Recovery time versus -di
F
/dt.
Fig. 6 Peak forward voltage
versus di
F
/dt.
Fig. 1 Forward current
versus voltage drop.
Fig. 2 Recovery charge versus -di
F
/dt.
Fig. 3 Peak reverse current versus
-di
F
/dt.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DSEI60 | Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
| DSEI60-10A | Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
| DSEI60-06A | Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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| DSEI60-06 | Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) |
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