參數(shù)資料
型號(hào): DTC115EE
廠商: Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述: Digital transistors (built-in resistors)
中文描述: 數(shù)字晶體管(內(nèi)置電阻)
文件頁(yè)數(shù): 8/15頁(yè)
文件大?。?/td> 500K
代理商: DTC115EE
NPN
Part
or
BVCBO
BVCEO
IC
PD
fT
PIN
Number
PNP
Ta=25°C
Current
R1
R2
(V)
(V)
(mA)
(mW)
IC
VCE
Max
resistance
resistance
MHz
(mA)
(V)
(mA)
(
)
(
)
DTC124XUS3
DTC143EUS3
DTC143TUS3
DTC143XUS3
DTC143YUS3
DTC143ZUS3
DTC144EUS3
DTC144TUS3
DTC144VUS3
DTC144WUS3
DTD113ZUS3
DTD114EUS3
DTD143EUS3
SOT-363
(P.29)
NPN
50
50
100
200
68
-
5
5
0.36
22K
47K
250
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
NPN
50
50
100
200
20
-
10
5
1.8
4.7K
4.7K
250
NPN
50
50
100
200
100
600
1
5
1.8
4.7K
NONE
250
NPN
50
50
100
200
30
-
10
5
1.8
4.7K
10K
250
NPN
50
50
100
200
33
-
10
5
1.8
4.7K
22K
250
NPN
50
50
100
200
80
-
10
5
1.8
4.7K
47K
250
NPN
50
50
100
200
68
-
5
5
0.18
47K
47K
250
NPN
50
50
100
200
100
600
1
5
0.18
47K
NONE
250
NPN
50
50
100
200
33
-
5
5
0.18
47K
10K
250
NPN
50
50
100
200
56
-
5
5
0.18
47K
22K
250
NPN
50
50
500
200
56
-
50
5
7.2
1K
10K
250
NPN
50
50
500
200
56
-
50
5
0.88
10K
10K
250
NPN
50
50
500
200
47
-
50
5
1.8
4.7K
4.7K
250
BA114ES6R
P*2
-50
-50
-100
200
30
-
-5
-5
-0.88
10K
10K
250
Daul
BA114TS6R
P*2
-50
-50
-100
200
100
600
-1
-5
-0.88
10K
NONE
250
Daul
BA114YS6R
P*2
-50
-50
-100
200
68
-
-5
-5
-0.88
10K
47K
250
Daul
BA124ES6R
P*2
-50
-50
-100
200
56
-
-5
-5
-0.36
22K
22K
250
Daul
BA143TS6R
P*2
-50
-50
-100
200
100
600
-1
-5
-1.8
4.7K
NONE
250
Daul
BA143ZS6R
P*2
-50
-50
-100
200
80
-
-10
-5
-1.8
4.7K
47K
250
Daul
BA144ES6R
P*2
-50
-50
-100
200
68
-
-5
-5
-0.18
47K
47K
250
Daul
BC114ES6R
N*2
50
50
100
200
30
-
5
5
0.88
10K
10K
250
Daul
BC114TS6R
N*2
50
50
100
200
100
600
1
5
0.88
10K
NONE
250
Daul
BC114YS6R
N*2
50
50
100
200
68
-
5
5
0.88
10K
47K
250
Daul
BC124ES6R
N*2
50
50
100
200
56
-
5
5
0.36
22K
22K
250
Daul
BC124XS6R
N*2
50
50
100
200
68
-
5
5
0.36
22K
47K
250
Daul
BC143ES6R
N*2
50
50
100
200
20
-
10
5
1.8
4.7K
4.7K
250
Daul
BC143TS6R
N*2
50
50
100
200
100
600
1
5
1.8
4.7K
NONE
250
Daul
BC143XS6R
N*2
50
50
100
200
30
-
10
5
1.8
4.7K
10K
250
Daul
BC143ZS6R
N*2
50
50
100
200
80
-
10
5
1.8
4.7K
47K
250
Daul
BC144ES6R
N*2
50
50
100
200
68
-
5
5
0.18
47K
47K
250
Daul
50
50
100
200
30
-
5
5
0.88
10K
10K
250
-50
-50
-100
200
30
-
-5
-5
-0.88
10K
10K
250
50
50
100
200
56
-
5
5
0.36
22K
22K
250
-50
-50
-100
200
56
-
-5
-5
-0.36
22K
22K
250
BA114EUS6R
P*2
-50
-50
-100
150
30
-
-5
-5
-0.88
10K
10K
250
Daul
BA114TUS6R
P*2
-50
-50
-100
150
100
600
-1
-5
-0.88
10K
NONE
250
Daul
BA114YUS6R
P*2
-50
-50
-100
150
68
-
-5
-5
-0.88
10K
47K
250
Daul
BA124EUS6R
P*2
-50
-50
-100
150
56
-
-5
-5
-0.36
22K
22K
250
Daul
BA143TUS6R
P*2
-50
-50
-100
150
100
600
-1
-5
-1.8
4.7K
NONE
250
Daul
BA143ZUS6R
P*2
-50
-50
-100
150
80
-
-10
-5
-1.8
4.7K
47K
250
Daul
BA144EUS6R
P*2
-50
-50
-100
150
68
-
-5
-5
-0.18
47K
47K
250
Daul
BC114EUS6R
N*2
50
50
100
150
30
-
5
5
0.88
10K
10K
250
Daul
BC114TUS6R
N*2
50
50
100
150
100
600
1
5
0.88
10K
NONE
250
Daul
BC114YUS6R
N*2
50
50
100
150
68
-
5
5
0.88
10K
47K
250
Daul
BC124EUS6R
N*2
50
50
100
150
56
-
5
5
0.36
22K
22K
250
Daul
BC124XUS6R
N*2
50
50
100
150
68
-
5
5
0.36
22K
47K
250
Daul
BC143EUS6R
N*2
50
50
100
150
20
-
10
5
1.8
4.7K
4.7K
250
Daul
BC143TUS6R
N*2
50
50
100
150
100
600
1
5
1.8
4.7K
NONE
250
Daul
BC143XUS6R
N*2
50
50
100
150
30
-
10
5
1.8
4.7K
10K
250
Daul
BC143ZUS6R
N*2
50
50
100
150
80
-
10
5
1.8
4.7K
47K
250
Daul
BC144EUS6R
N*2
50
50
100
150
68
-
5
5
0.18
47K
47K
250
Daul
50
50
100
150
30
-
5
5
0.88
10K
10K
250
-50
-50
-100
150
30
-
-5
-5
-0.88
10K
10K
250
50
50
100
150
56
-
5
5
0.36
22K
22K
250
-50
-50
-100
150
56
-
-5
-5
-0.36
22K
22K
250
Min
Max
SOT-523
(P.28)
Maximum Ratings
Electrical Characteristics (Ta=25°C)
INPUT
hFE
BCA124EUS6R
N+P
N+P
SOT-563
(P.29)
BCA114EUS6R
N+P
N+P
BCA124ES6R
N+P
N+P
N+P
BCA114ES6R
N+P
P.18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
DTA124EUS3 Mini size of Discrete semiconductor elements
DTA143EUS3 Mini size of Discrete semiconductor elements
DTC124XS3 Mini size of Discrete semiconductor elements
DTC143EUS3 Mini size of Discrete semiconductor elements
DTC143XS3 Mini size of Discrete semiconductor elements
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
DTC115EEATL 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:
DTC115EEB 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:100mA / 50V Digital transistors
DTC115EET1 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
DTC115EET1G 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA 50V BRT NPN RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
DTC115EETL 功能描述:開(kāi)關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 NPN 50V 20MA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel