分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BCR 133S E6327品牌、價格、PDF參數(shù)
BCR 133S E6327 • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價格 |
| BCR 133S E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 |
0 |
|
| BCR 133S B6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 |
0 |
|
| BCR 129S E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 |
0 |
|
| BCR 119S E6433 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 |
0 |
|
| BCR 119S E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 |
0 |
|
| BCR 116S E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR NPN DGTL AF SOT-363 |
0 |
|
| BCR 10PN B6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR ARRAY DGTL AF SOT-363 |
0 |
|
| BCR 108S E6433 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR NPN DGTL SOT-363 |
0 |
|
| BCR 108S E6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR NPN DGTL SOT-363 |
0 |
|
| BCR 08PN B6327 |
Infineon Technologies |
TRANSISTOR ARRAY NPN/PNP SOT-363 |
0 |
|
BCR 133S E6327 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
|
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）: |
100mA
|
| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）: |
50V
|
| 電阻器 - 基極 (R1)（歐）: |
10k
|
| 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）: |
10k
|
| 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE): |
30 @ 5mA，5V
|
| Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）: |
300mV @ 500µA，10mA
|
| 電流 - 集電極截止（最大）: |
-
|
| 頻率 - 轉(zhuǎn)換: |
130MHz
|
| 功率 - 最大: |
250mW
|
| 封裝/外殼: |
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PG-SOT363-6
|
| 包裝: |
帶卷 (TR)
|