分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4470EY-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
SI4470EY-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| SI4470EY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC |
0 |
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| SI8451DB-T2-E1 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT |
0 |
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| SI5473DC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8 |
0 |
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| SI5481DU-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK CHIPFET |
0 |
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| SI6404DQ-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP |
0 |
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| SI6465DQ-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 8V 8TSSOP |
0 |
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| SI7446BDP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC |
0 |
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| SI7452DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 60V PPAK 8SOIC |
0 |
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| SI7476DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK 8SOIC |
0 |
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SI4470EY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
60V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
9A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
11 毫歐 @ 12A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
2V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
70nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
-
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| 功率 - 最大: |
1.85W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
8-SOICN
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| 包裝: |
剪切帶 (CT)
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