分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPP086N10N3 G品牌、價格、PDF參數(shù)

IPP086N10N3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPP086N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 0 1:$2.50000
10:$2.25800
25:$2.01560
100:$1.81420
250:$1.61260
500:$1.41102
1,000:$1.16914
2,500:$1.08850
5,000:$1.04819
IPB530N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3 2,000 1:$1.92000
10:$1.64500
25:$1.48000
100:$1.34310
250:$1.20604
500:$1.04158
IPB100N04S4-H2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2 0 1,000:$0.77880
IPA65R600C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220 0 10,000:$0.77051
IPP086N10N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 8.6 毫歐 @ 73A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 75µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3980pF @ 50V
功率 - 最大: 125W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO220-3
包裝: 管件