分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPI041N12N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPI041N12N3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPI041N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3 0 1:$6.94000
10:$6.20000
25:$5.58000
100:$5.08400
250:$4.58800
500:$4.11680
1,000:$3.47200
2,500:$3.29840
5,000:$3.16200
IPW65R190CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247 0 1:$6.04000
10:$5.39600
100:$4.42450
250:$3.99284
500:$3.58278
1,000:$3.02162
2,500:$2.87054
5,000:$2.75183
10,000:$2.67629
IPW65R080CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247 0 240:$10.28875
IPI041N12N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 120V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 120A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.1 毫歐 @ 100A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 270µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 211nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 13800pF @ 60V
功率 - 最大: 300W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO262-3
包裝: 管件