分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPB65R190CFD品牌、價格、PDF參數(shù)

IPB65R190CFD • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPB65R190CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 0 1:$5.58000
10:$5.02000
25:$4.55560
100:$4.09070
250:$3.71880
500:$3.25396
BSC109N10NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON 0 5,000:$0.80145
10,000:$0.77063
25,000:$0.75521
50,000:$0.73980
IPB530N15N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3 2,000 1:$1.92000
10:$1.64500
25:$1.48000
100:$1.34310
250:$1.20604
500:$1.04158
IPB65R190CFD • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 17.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 190 毫歐 @ 7.3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 4.5V @ 730µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 68nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1850pF @ 100V
功率 - 最大: 151W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO263
包裝: 剪切帶 (CT)