分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPB123N10N3 G品牌、價格、PDF參數(shù)

IPB123N10N3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPB123N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3 0 1:$2.28000
10:$1.95800
25:$1.76240
100:$1.59910
250:$1.43596
500:$1.24014
IPB123N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3 0 1:$2.28000
10:$1.95800
25:$1.76240
100:$1.59910
250:$1.43596
500:$1.24014
IPB123N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3 0 1,000:$0.94642
2,000:$0.88115
5,000:$0.84851
10,000:$0.81588
25,000:$0.79956
50,000:$0.78324
IPB123N10N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 58A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 12.3 毫歐 @ 46A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 46µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2500pF @ 50V
功率 - 最大: 94W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO263-2
包裝: Digi-Reel®