| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| CMF20120D | Cree Inc | SIC MOSFET N-CH 1200V TO-247-3 | 344 | 1:$33.33000 100:$32.05000 500:$31.25000 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 1200V（1.2kV） |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 33A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 110 毫歐 @ 20A，20V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 90.8nC @ 20V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1915pF @ 800V |
| 功率 - 最大: | 150W |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-247-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | TO-247-3 |
| 包裝: | 管件 |