元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
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SPD07N60C3T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK | 0 |
類別: | 分離式半導體產品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點: | 標準 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 650V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 7.3A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 600 毫歐 @ 4.6A,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 3.9V @ 350µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 790pF @ 25V |
功率 - 最大: | 83W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
供應商設備封裝: | PG-TO252-3 |
包裝: | 帶卷 (TR) |