元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
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EPC2001 | EPC | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | 0 | 500:$3.32000 1,000:$2.80000 2,000:$2.66000 5,000:$2.55000 10,000:$2.48000 |
類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
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FET 型: | GaNFET N 通道,氮化鎵 |
FET 特點: | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 25A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 7 毫歐 @ 25A,5V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 2.5V @ 5mA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 8nC @ 5V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 850pF @ 50V |
功率 - 最大: | - |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 模具剖面(11 焊條) |
供應商設(shè)備封裝: | 模具剖面(11 焊條) |
包裝: | 帶卷 (TR) |