| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| EPC2015 | EPC | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE | 1,884 | 1:$5.31000 10:$4.77900 100:$3.89400 250:$3.54000 |
| EPC2015 | EPC | TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE | 1,500 | 500:$2.93820 1,000:$2.47800 5,000:$2.25675 10,000:$2.19480 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | GaNFET N 通道，氮化鎵 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 40V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 33A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 4 毫歐 @ 33A，5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 9mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 10.5nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1100pF @ 20V |
| 功率 - 最大: | - |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 模具剖面（11 焊條） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 模具剖面（11 焊條） |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |