| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SIHU3N50D-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK | 0 | 3,000:$0.36288 6,000:$0.34474 15,000:$0.33048 30,000:$0.32141 75,000:$0.31104 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 500V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 3A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.2 歐姆 @ 2.5A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 175pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 104W |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | TO-251AA |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |