分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIE848DF-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIE848DF-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIE848DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK 0 1:$2.98000
25:$2.29520
100:$2.08250
250:$1.87000
500:$1.61500
1,000:$1.36000
SQD50N06-07L-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 50A TO252 0 2,000:$1.72900
SI4886DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC 0 2,500:$1.71570
SIE848DF-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 60A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 1.6 毫歐 @ 25A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 138nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 6100pF @ 15V
功率 - 最大: 125W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 10-PolarPAK?（L）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 10-PolarPAK?（L）
包裝: 剪切帶 (CT)