分離式半導體產(chǎn)品 SIE862DF-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIE862DF-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIE862DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK 0 3,000:$0.89100
SQ3426EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP 38 1:$0.79000
25:$0.55440
100:$0.47520
250:$0.41040
500:$0.35280
1,000:$0.27360
SQ3426EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP 38 1:$0.79000
25:$0.55440
100:$0.47520
250:$0.41040
500:$0.35280
1,000:$0.27360
SQ3419EEV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP 0 1:$0.79000
25:$0.55440
100:$0.47520
250:$0.41040
500:$0.35280
1,000:$0.27360
SIE862DF-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 50A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 3.2 毫歐 @ 20A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 75nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3100pF @ 15V
功率 - 最大: 104W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 10-PolarPAK?（U）
供應商設備封裝: 10-PolarPAK?（U）
包裝: 帶卷 (TR)