分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIR882ADP-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIR882ADP-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIR882ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAK 0 1:$2.84000
25:$2.18720
100:$1.98450
250:$1.78200
500:$1.53900
1,000:$1.29600
SIR882ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 60A POWERPAK 0 3,000:$1.09350
6,000:$1.05300
15,000:$1.01250
30,000:$0.99225
75,000:$0.97200
SIE882DF-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 25V POLARPAK 0 3,000:$1.09350
IRL640STRRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK 0 800:$1.09305
SIR882ADP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 60A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 8.7 毫歐 @ 20A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 2.8V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 60nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1975pF @ 50V
功率 - 最大: 83W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 剪切帶 (CT)