| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SIRA14DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V D-S SO-8 | 0 | 3,000:$0.25448 6,000:$0.23693 15,000:$0.22815 30,000:$0.21938 75,000:$0.21587 150,000:$0.21060 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 20A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 5.1 毫歐 @ 10A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.2V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1450pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 15.6W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | PowerPAK? SO-8 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PowerPAK? SO-8 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |