分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SUD35N10-26P-T4GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
SUD35N10-26P-T4GE3 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| SUD35N10-26P-T4GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 100V TO252 |
0 |
2,500:$0.94770
|
| SI1405DL-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 8V SC-70-6 |
0 |
3,000:$0.24650
|
| SI5445BDC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8 |
0 |
3,000:$0.24360
|
| SI7392ADP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC |
0 |
3,000:$0.94500
|
| SI7370ADP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 60V 50A PPAK 8SOIC |
0 |
3,000:$0.94500
|
| SI5404BDC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8 |
0 |
3,000:$0.23490
|
SUD35N10-26P-T4GE3 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
|
| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
|
| 漏極至源極電壓(Vdss): |
100V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
35A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
26 毫歐 @ 12A，10V
|
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
4.4V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
47nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
2000pF @ 12V
|
| 功率 - 最大: |
83W
|
| 安裝類型: |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼: |
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
TO-252，（D-Pak）
|
| 包裝: |
帶卷 (TR)
|