分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4124DY-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI4124DY-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI4124DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC 0 2,500:$0.90450
5,000:$0.87100
12,500:$0.83750
25,000:$0.82075
62,500:$0.80400
SI4124DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 20.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.5 毫歐 @ 14A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 77nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3540pF @ 20V
功率 - 最大: 5.7W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)
電子產(chǎn)品資料
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