元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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SI4124DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.90450 5,000:$0.87100 12,500:$0.83750 25,000:$0.82075 62,500:$0.80400 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 40V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 20.5A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 7.5 毫歐 @ 14A,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 3V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 77nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 3540pF @ 20V |
功率 - 最大: | 5.7W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 8-SOICN |
包裝: | 帶卷 (TR) |