分離式半導體產品 SI3442CDV-T1-GE3品牌、價格、PDF參數

SI3442CDV-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
SI3442CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V D-S 6TSOP 0 3,000:$0.13950
6,000:$0.13050
15,000:$0.12150
30,000:$0.11475
75,000:$0.11250
150,000:$0.10800
SIA418DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6 0 1:$0.50000
25:$0.34640
100:$0.29700
250:$0.25652
500:$0.22050
1,000:$0.17100
IRF9Z24STRRPBF Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK 0 800:$0.79514
SI7404DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 1212-8 0 3,000:$0.76950
SI7846DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 150V PPAK 8SOIC 0 3,000:$0.79110
SI3442CDV-T1-GE3 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 27 毫歐 @ 6.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 14nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 335pF @ 10V
功率 - 最大: 2.7W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
供應商設備封裝: 6-TSOP
包裝: 帶卷 (TR)