元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
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SIS476DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8 PWR | 0 | 3,000:$0.47600 6,000:$0.45220 15,000:$0.43350 30,000:$0.42160 75,000:$0.40800 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點: | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 40A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 2.5 毫歐 @ 15A,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 2.3V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 77nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 3595pF @ 15V |
功率 - 最大: | 52W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | PowerPAK? 1212-8 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PowerPAK? 1212-8 |
包裝: | 帶盒(TB) |