元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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SQR50N03-06P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V TO263 | 0 | 2,000:$0.67760 |
IRL510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | 0 | 1,000:$0.67350 |
SI7454CDP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 8-SOIC | 5,534 | 1:$1.82000 25:$1.44000 100:$1.29600 250:$1.12800 500:$1.00800 1,000:$0.79200 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 50A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 6 毫歐 @ 20A,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 2.5V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 38nC @ 4.5V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 4030pF @ 25V |
功率 - 最大: | 8.3W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | TO-263(D2Pak) |
包裝: | 帶卷 (TR) |