分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SQR50N03-06P-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SQR50N03-06P-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SQR50N03-06P-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V TO263 0 2,000:$0.67760
IRL510SPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK 0 1,000:$0.67350
SI7454CDP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 8-SOIC 5,534 1:$1.82000
25:$1.44000
100:$1.29600
250:$1.12800
500:$1.00800
1,000:$0.79200
SQR50N03-06P-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 50A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6 毫歐 @ 20A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 38nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4030pF @ 25V
功率 - 最大: 8.3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-263(D2Pak)
包裝: 帶卷 (TR)
電子產(chǎn)品資料
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