元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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SI7405BDN-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 12V PPAK 1212-8 | 0 | 3,000:$0.50400 |
SI4642DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.50260 |
SIHD5N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK | 25 | 1:$1.36000 25:$1.07480 100:$0.96710 250:$0.84176 500:$0.75222 1,000:$0.59103 |
類(lèi)別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 12V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 16A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 13 毫歐 @ 13.5A,4.5V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 1V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 115nC @ 8V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 3500pF @ 6V |
功率 - 最大: | 33W |
安裝類(lèi)型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | PowerPAK? 1212-8 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PowerPAK? 1212-8 |
包裝: | 帶卷 (TR) |