| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| PSMN1R1-30PL,127 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 30V 120A TO220 | 273 | 1:$3.25000 10:$2.90000 25:$2.61000 100:$2.37800 250:$2.14600 500:$1.92560 1,000:$1.62400 2,500:$1.54280 5,000:$1.48480 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 120A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 1.3 毫歐 @ 25A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 2.2V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 243nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 14850pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 338W |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-220-3 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | TO-220AB |
| 包裝: | 管件 |