分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI7309DN-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI7309DN-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI7309DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK 6,055 1:$1.14000
25:$0.90000
100:$0.81000
250:$0.70500
500:$0.63000
1,000:$0.49500
SI7309DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 PPAK 3,000 3,000:$0.42000
6,000:$0.39900
15,000:$0.38250
30,000:$0.37200
75,000:$0.36000
SI1330EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 60V SC-70-3 0 3,000:$0.17670
6,000:$0.16530
15,000:$0.15390
30,000:$0.14535
75,000:$0.14250
150,000:$0.13680
SI1305DL-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH G-S 8V SC-70-3 212 1:$0.61000
25:$0.42360
100:$0.36300
250:$0.31352
500:$0.26950
1,000:$0.20900
SI7309DN-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 115 毫歐 @ 3.9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 600pF @ 30V
功率 - 最大: 19.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? 1212-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? 1212-8
包裝: 剪切帶 (CT)