分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI3475DV-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI3475DV-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI3475DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 200V 6-TSOP 5,347 1:$1.03000
25:$0.81000
100:$0.72900
250:$0.63452
500:$0.56700
1,000:$0.44550
SI3475DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH D-S 200V 6-TSOP 5,347 1:$1.03000
25:$0.81000
100:$0.72900
250:$0.63452
500:$0.56700
1,000:$0.44550
SI3475DV-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 950mA
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.61 歐姆 @ 900mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 500pF @ 50V
功率 - 最大: 3.2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-TSOP
包裝: Digi-Reel®
電子產(chǎn)品資料
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