元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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SI3475DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 200V 6-TSOP | 5,347 | 1:$1.03000 25:$0.81000 100:$0.72900 250:$0.63452 500:$0.56700 1,000:$0.44550 |
SI3475DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 200V 6-TSOP | 5,347 | 1:$1.03000 25:$0.81000 100:$0.72900 250:$0.63452 500:$0.56700 1,000:$0.44550 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 200V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 950mA |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 1.61 歐姆 @ 900mA,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 4V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 18nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 500pF @ 50V |
功率 - 最大: | 3.2W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 6-TSOP |
包裝: | Digi-Reel® |