| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| IPB029N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 | 1,000 | 1,000:$1.24700 2,000:$1.16100 5,000:$1.11800 10,000:$1.07500 25,000:$1.05350 50,000:$1.03200 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 120A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 2.9 毫歐 @ 100A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 118µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 165nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 13000pF @ 30V |
| 功率 - 最大: | 188W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TO263-2 |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |