分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SQJ412EP-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SQJ412EP-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SQJ412EP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC 0 3,000:$0.99900
6,000:$0.96200
15,000:$0.92500
30,000:$0.90650
75,000:$0.88800
IRF9540STRLPBF Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK 781 1:$2.47000
25:$1.90880
100:$1.73220
250:$1.55540
SQJ412EP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 32A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.5 毫歐 @ 10.3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 120nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 5950pF @ 20V
功率 - 最大: 83W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 帶卷 (TR)