分離式半導體產品 SIS456DN-T1-GE3品牌、價格、PDF參數

SIS456DN-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數量 價格
SIS456DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK 0 3,000:$0.40600
6,000:$0.38570
15,000:$0.36975
30,000:$0.35960
75,000:$0.34800
SIS456DN-T1-GE3 • PDF參數
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 35A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 5.1 毫歐 @ 20A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 55nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 15V
功率 - 最大: 52W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? 1212-8
供應商設備封裝: PowerPAK? 1212-8
包裝: 帶卷 (TR)