分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPD320N20N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPD320N20N3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPD320N20N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3 10,000 2,500:$1.19326
5,000:$1.14907
12,500:$1.10488
25,000:$1.08278
62,500:$1.06068
BSZ16DN25NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 8,796 1:$2.43000
10:$2.08100
25:$1.87240
100:$1.69910
250:$1.52572
500:$1.31766
1,000:$1.10960
2,500:$1.00558
IPD110N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 2,500 2,500:$0.89680
5,000:$0.86359
12,500:$0.83038
25,000:$0.81377
62,500:$0.79716
IPD320N20N3 G • PDF參數(shù)
類(lèi)別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 34A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 32 毫歐 @ 34A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 90µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2350pF @ 100V
功率 - 最大: 136W
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線(xiàn)+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO252-3
包裝: 帶卷 (TR)