元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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NGB8207ANT4G | ON Semiconductor | IGBT IGNIT N-CH 350V 20A D2PAK-3 | 0 | 800:$1.34300 |
NGB8207ABNT4G | ON Semiconductor | IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3 | 0 | 800:$1.34300 1,600:$1.23250 2,400:$1.14750 5,600:$1.10500 20,000:$1.06250 40,000:$1.04550 80,000:$1.02000 |
NGB8207ABNT4G | ON Semiconductor | IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3 | 800 | 1:$2.71000 10:$2.44800 25:$2.19320 100:$1.97200 250:$1.75100 |
NGB8207BNT4G | ON Semiconductor | IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3 | 800 | 1:$2.71000 10:$2.44800 25:$2.19320 100:$1.97200 250:$1.75100 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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IGBT 類型: | - |
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): | 365V |
Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開): | 2.05V @ 4.5V,10A |
電流 - 集電極 (Ic)(最大): | 20A |
功率 - 最大: | 165W |
輸入類型: | 邏輯 |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | D2PAK |
包裝: | 帶卷 (TR) |