分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI1988DH-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI1988DH-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI1988DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V DUAL SC-70-6 0 1:$0.66000
25:$0.51000
100:$0.45000
250:$0.39000
500:$0.33000
1,000:$0.26250
SI1988DH-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V DUAL SC-70-6 0 3,000:$0.21750
6,000:$0.20250
15,000:$0.19500
30,000:$0.18750
75,000:$0.18450
150,000:$0.18000
SI1988DH-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: 2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 168 毫歐 @ 1.4A，4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 4.1nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 110pF @ 10V
功率 - 最大: 1.25W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-70-6
包裝: 剪切帶 (CT)