分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 PMWD16UN,518品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
PMWD16UN,518 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| PMWD16UN,518 |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP |
0 |
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| PMWD16UN,518 |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP |
0 |
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| PMWD15UN,518 |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP |
0 |
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| PMWD15UN,518 |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP |
0 |
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| PMWD15UN,518 |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP |
0 |
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PMWD16UN,518 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
2 個(gè) N 溝道（雙）
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| FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
20V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
9.9A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
19 毫歐 @ 3.5A，4.5V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
700mV @ 1mA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
23.6nC @ 4.5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
1366pF @ 16V
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| 功率 - 最大: |
3.1W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
8-TSSOP
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| 包裝: |
剪切帶 (CT)
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