分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SP8M51TB1品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SP8M51TB1 • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SP8M51TB1 Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 100V SOP8 2,500 2,500:$0.60200
5,000:$0.57190
10,000:$0.54825
25,000:$0.53320
SH8K4TB1 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH DUAL 30V 9A SOP8 3,349 1:$1.68000
25:$1.32320
100:$1.19070
250:$1.03636
500:$0.92610
1,000:$0.72765
SH8K4TB1 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH DUAL 30V 9A SOP8 3,349 1:$1.68000
25:$1.32320
100:$1.19070
250:$1.03636
500:$0.92610
1,000:$0.72765
SH8M5TB1 Rohm Semiconductor MOSFET N/P-CH 30V SOP8 4,878 1:$1.77000
25:$1.39800
100:$1.25820
250:$1.09512
500:$0.97860
1,000:$0.76890
SH8M4TB1 Rohm Semiconductor MOSFET N+P 30V 9A/7A 8-SOIC 0
SP8M51TB1 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3A，2.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: -
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: -
閘電荷(Qg) @ Vgs: -
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOP
包裝: 帶卷 (TR)