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ECH8602M-TL-H

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • ECH8602M-TL-H
    ECH8602M-TL-H

    ECH8602M-TL-H

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯(lián)系人:彭小姐、劉先生、李小姐

    電話:0755-82552857-80913528851884(周日專線)

    地址:深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 7500

  • ON

  • 原廠原裝

  • 1716+

  • -
  • 只做原裝 一手貨源,代理商分銷庫存

  • ECH8602M-TL-H
    ECH8602M-TL-H

    ECH8602M-TL-H

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ONSemiconductor

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • ECH8602M-TL-H
    ECH8602M-TL-H

    ECH8602M-TL-H

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田區(qū)福虹路世界貿易廣場A座1503

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 84000

  • SANYO

  • ECH8

  • 10+PBF

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨/特價

  • ECH8602M-TL-H
    ECH8602M-TL-H

    ECH8602M-TL-H

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 420000

  • SANYO

  • ECH8

  • 10+PBF

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • ECH8602M-TL-H
    ECH8602M-TL-H

    ECH8602M-TL-H

  • 深圳市源運電子商行
    深圳市源運電子商行

    聯(lián)系人:林先生

    電話:15913992480

    地址:深圳市龍崗區(qū)板田街道荔園新村55棟1樓

  • 3000

  • ON

  • 16+

  • -
  • ECH8602M-TL-H
    ECH8602M-TL-H

    ECH8602M-TL-H

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/韓先生

    電話:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 2520

  • ON Semiconductor

  • N/A ㊣品

  • N/A 全新進口

  • -
  • 國內授權代理分銷

  • ECH8602M-TL-H
    ECH8602M-TL-H

    ECH8602M-TL-H

  • 深圳市貿盛微電子有限公司
    深圳市貿盛微電子有限公司

    聯(lián)系人:周先生

    電話:0755-8220875218127068687

    地址:深圳市羅湖區(qū)嘉賓路友誼大廈五棟3樓G

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • ON

  • 10+

  • -
  • 專業(yè)經銷,原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共32條 
  • 1
ECH8602M-TL-H PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 6A ECH8
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> FET - 陣列
  • 系列
  • -
  • 產品目錄繪圖
  • 8-SOIC Mosfet Package
  • 標準包裝
  • 1
  • 系列
  • -
  • FET 型
  • 2 個 N 溝道(雙)
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
  • 3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 75 毫歐 @ 4.6A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)
  • 3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • -
  • 功率 - 最大
  • 1.4W
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • PowerPAK? SO-8
  • 供應商設備封裝
  • PowerPAK? SO-8
  • 包裝
  • Digi-Reel®
  • 產品目錄頁面
  • 1664 (CN2011-ZH PDF)
  • 其它名稱
  • SI7948DP-T1-GE3DKR
ECH8602M-TL-H 技術參數(shù)
  • ECH8411-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 9A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16 毫歐 @ 4A,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1740pF @ 10V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8402-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1400pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8306-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 100V 2A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):225 毫歐 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1600pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8305-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 60V 4A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):85 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1680pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8304-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅動 漏源極電壓(Vdss):12V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):9.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16 毫歐 @ 4.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3180pF @ 6V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:8-ECH 標準包裝:1 ECH8654-TL-H ECH8654-TL-HQ ECH8655R-R-TL-H ECH8655R-TL-H ECH8656-TL-H ECH8657-TL-H ECH8659-M-TL-H ECH8659-TL-H ECH8659-TL-HX ECH8659-TL-W ECH8660-S-TL-H ECH8660-TL-H ECH8661-TL-H ECH8662-TL-H ECH8663R-TL-H ECH8664R-TL-H ECH8667-TL-H ECH8667-TL-HX
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