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EPC2039

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • EPC2039ENGRT
    EPC2039ENGRT

    EPC2039ENGRT

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 20000

  • EPC

  • 帶卷（TR）

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • EPC2039
    EPC2039

    EPC2039

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • EPC

  • 模具

  • 21+

  • -

  • 質(zhì)量保真，價(jià)格實(shí)惠，假一罰十

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共7條 
  • 1
EPC2039 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • TRANS GAN 80V BUMPED DIE
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類(lèi)型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • GaNFET（氮化鎵）
  • 漏源電壓（Vdss）
  • 80V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
  • 6.8A（Ta）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
  • 5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
  • 2.5V @ 2mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
  • 2.4nC @ 5V
  • Vgs（最大值）
  • +6V，-4V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
  • 210pF @ 40V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • -
  • 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
  • 25 毫歐 @ 6A，5V
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型
  • 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 模具
  • 封裝/外殼
  • 模具
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
EPC2039 技術(shù)參數(shù)
  • EPC2038ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2.8 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.04nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2038 功能描述:TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:500mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 20μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.044nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:8.4pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.3 歐姆 @ 50mA，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2037ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:GaNFET N 通道，氮化鎵 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 100mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 80μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:0.12nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:12.5pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:模具 供應(yīng)商器件封裝:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2037 功能描述:TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.7A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 80μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.12nC @ 5V Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:14pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:550 毫歐 @ 100mA，5V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2036ENGRT 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A DIE 制造商:epc 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):GaNFET（氮化鎵） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.7A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 600μA Vgs（最大值）:+6V，-4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:90pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:模具 封裝/外殼:模具 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 EPC2100ENG EPC2100ENGRT EPC2101 EPC2101ENG EPC2101ENGRT EPC2102 EPC2102ENG EPC2102ENGRT EPC2103 EPC2103ENG EPC2103ENGRT EPC2104 EPC2104ENG EPC2104ENGRT EPC2105 EPC2105ENG EPC2105ENGRT EPC2106
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